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PECVD（化学气相沉积）和等离子体监测过程控制系统
微波等离子体源MIRO-200-CI
主要特征如下；
无灯丝、无栅网等离子体源
均匀的定向离子束轮廓
可选磁性等离子体定位模块
极低的离子能量（用于外延膜生长）
与溅射工艺兼容
微波功率耦合
标准安装法兰几何形状
使用多个阵列源来覆盖更大的基底
整套交付包括发生器和电源线
适用于批量和在线系统
定位模式选项允许在靠近基板的小体积内调节等离子体的位置和全功率的中心
通过Profibus控制实现自动匹配
应用领域
高速率Ar离子蚀刻
将氮、碳或氧离子和自由基添加到等离子体工艺中
等离子氮化或氧化
a-C:H和ta-C:H的高速沉积
PVD/PECVD混合工艺
碳基低摩擦纳米复合材料的高速沉积
用于低应力光学涂层（例如SiO2）的PECVD工艺
基材等离子处理
过程数据
极低的可调等离子体能量：2eV至10eV之间
离子电流密度超过1mA/cm²
沉积速率a-CH:36μm/h
工作压力：1.5-12×10-³mbar
与反应气体和前体Ar、O2、N2、C2H2、HMDSO等完全兼容
功率范围：0.3-2kW
高PECVD沉积速率，例如：HMDSO-30μm/h SiO2
非常好的预处理能力
靠近基板的局部等离子体密度可调
配置及技术参数
微波源
微波发生器
微波发生器到微波源线缆
自动调谐器
手动调谐控制器
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