系统可实现两种不同配置的磁控溅射：
带有旋转磁场的单个磁控管，磁控管直径>基底直径。（见图）或
多达4个共聚焦排列的磁控管，磁控管直径<基底直径。（需要旋转）或
DRM 400双环磁控管，具有两个同心靶，磁控管直径>基底直径
• 系统配有射频偏置以实现工艺一致性和应力控制
• 基板可旋转以实现卓越均匀性
• 系统配置氦气冷却以及静电夹具用于降低基板温度
• 系统具有在单极和双极模式下反应溅射的高沉积速率
• 可通过调整轰击能量改变薄膜性能
• 系统可通过共聚焦磁控管排列实现共溅射
| 样品尺寸 | ф200 mm |
| 样品夹具 | 水冷、氦气背面冷却触点、旋转速度高达20 rpm、可选射频偏置、静电夹持和晶圆加热（最高750°C） |
| 溅射源 | 具有旋转磁场的磁控管或 最多4个共聚焦排列的磁控管，或 Fraunhofer FEP的双环磁控管（DRM 400） |
| 溅射模式 | DC (单或双极脉冲模式最高 2 x 10 kW) RF (最高 6 kW, 13.56 MHz) |
| 基础真空 | < 1 x 10-6 mbar |
| 系统尺寸 (W x D x H) | 2.70 m x 1.10 m x 1.60 m, 用于自动装载的单室（不带电控柜和真空泵） |
| 配置 | 单个基板loadlock/ 带最多5个真空工艺室和自动装载功能的集群系统 |
| 软件界面 | SECS II / GEM, OPC |
• TC-SAW器件的温度补偿膜（SiO2）
• 压电薄膜（AlN，AlScN）和电极材料（Mo）
• 光学高折射率和低折射率膜层（SiO2、TiO2、HfO2、ZrO2、Nb2O5、Ta2O5）
• 电绝缘膜（Si3N4、SiO2、Al2O3）
• 金属和合金的共溅射
• SiO2的典型沉积速率
90 nm/min（单个磁控源）
7 nm/min（共焦）
180 nm/min（DRM 400）
均匀性变化（σ/平均值）
≤1.5%（单个磁控源）
≤0.8%（共焦）
≤0.5%（DRM 400）
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