scia Mill 300适合针对直径达300 mm的各种基底材料的离子束刻蚀。该系统对活性气体相容，能够进行反应蚀刻工艺以提高刻蚀选择比和刻蚀速率，并可配备不同的终点检测装置以精确地控制工艺过程。scia Mill 300采用灵活的模块化设计，既可用于盒式装载的大批量生产，也可用于单基板装载的小规模生产。
- 可进行离子束刻蚀（IBE、IBM）、反应离子束刻蚀（RIBE）和化学辅助离子束刻蚀（CAIBE）
- 刻蚀角度调整：样品台可以旋转且倾斜可调
- 即使不使用修正挡板，也可获得极好的均匀性
- 可使用反应气体以提高刻蚀速率，并控制刻蚀选择比
- 通过基于SIMS（二次离子质谱）或光学的截止点探测技术控制工艺
- 可以刻蚀光刻胶晶圆，具有良好的样品冷却配置
- 在不同的组合式布局中可以进行全自动载具操作，包括SECS/GEM通讯。
- 重点应用：
表面浮雕光栅SRG的制造，用于AR、MR的器件
隧道磁阻（TMR）传感器用磁性多层膜
红外传感器用超薄钽酸锂的制备
集成电路芯片器件的逆向工程
| 样品尺寸 | ф300mm |
| 样品夹具 | 水冷，氦背板冷却转速：1 - 20 rpm倾斜：0° - 175°步长 0.1° |
| 离子源 | 450mm圆形射频源RF450-e |
| 中和器 | 射频等离子体桥中和器N-RF |
| 参考刻蚀速率 | Pt: 35 nm/min Cu: 44 nm/min W: 17 nm/min SiO2: 20 nm/min（惰性） SiO2: 40-60 nm/min （反应) |
| 刻蚀均匀性 | ≦ 2.5% (σ/mean) |
| 产能 | 12 Wafer/h (100 nm SiO2 去除) |
| 基础真空度 | 5 x 10-7 mbar |
| 尺寸（不含电柜与真空泵） | 2.7 m x 1.5 m x 2.0 m （1个工作仓 + 单晶圆载具LoadLock） |
| 软件界面 | SECS II / GEM, OPC |
- 单片 Load-Lock（可选）
- 组合式布局可至3个工作仓和晶圆载具
- 光学截止点探测器OES 或二次离子质谱截止点探测器SIMS
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