scia Coat 200双离子束溅射镀膜机，具有极好的均匀性，适用于直径达Φ200 mm基底的镀膜。用离子束溅射镀膜代替其他镀膜工艺，可以获得光滑无缺陷的薄膜。在线膜厚光学监控确保了良好的工艺稳定性。此外，该系统能够适用包括晶圆在内的任意形状的基板。
- 主离子源用于溅射靶材到样品基底上，沉积成膜；次离子源用于样品表面离子束轰击清洗或辅助镀膜。
- 可沉积介质和金属膜
- 具有在线基底预处理 （刻蚀、清洗、平滑化）功能
- 通过基板旋转和倾斜，可以获得极好的沉积均匀性
- 转鼓靶架上最多可有5个水冷靶材料，用于在线更换
- 使用石英晶振和/或光学厚度监视器（OTM），菜单式控制多层膜沉积
- 适应不同的基底尺寸
- 可选配备Φ350 mm离子束源作为辅助源，也可用于离子束蚀刻工艺
- 应用于磁传感器多层膜（GMR、TMR、自旋电子）
- 应用于高激光损伤阈值薄膜的沉积
| 样品基底尺寸（最大） | Φ200mm |
| 样品台与样品夹具 | 水冷，氦背板冷却，样品转速5-20 rpm， 可在线旋转0° to 160° 步进 0.1° |
| 射频离子源 | Φ 120 mm 圆形RF源 (RF120-e) Assist source: 120 mm circular RF source (RF120-e) or 350 mm circular RF source (RF350-e) or 218 mm circular microwave ECR source (MW218-e) |
| 辅助离子源 | Φ 120 mm 圆形RF源 (RF120-e) 或 Φ 350 mm 圆形RF源 (RF350-e) 或 Φ 218 mm 圆形微波ECR源 (MW218-e) |
| 中和器 | 热灯丝 (N-DC) 或射频 (N-RF) 等离子体桥中和器 |
| 靶材转鼓 | 最多可装载5种靶材（每种最大Φ220 mm），或4种靶材（每种最大Φ300 mm），靶材水冷，可调倾斜。 |
| 典型沉积速率 | Ag: 35 nm/min Al: 10 nm/min Si: 15 nm/min Ti: 8 nm/min Al2O3: 15 nm/min Ta2O5: 15 nm/min TiO2: 6 nm/min SiO2: 20 nm/min |
| 均匀性变化 | ≤ 0.5 % (σ/mean) |
| 基础真空 | < 5 x 10-7 mbar |
| < 5 x 10-7 mbar | 3.10 m x 1.70 m x 2.40 m （单工作仓，带盒装载，不含电柜与真空泵） |
| 基本配置 | 单工作仓，带单样品loadlock |
| 软件界面 | SECS II / GEM, OPC |
- 单工作仓可选盒式载具
- 可选组合式系统带盒式载具
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