scia Opto 300-思锐奇系统

scia Opto 300

系统采用离子束溅射法（IBS）、双离子束溅射（DIBS）主源将材料从靶材溅射到面朝下放置的基板，设备同时配有用于预清洁基板和/或在沉积过程中辅助的辅助离子源

常规属性

• 可加工直径达300 mm基板

• 可配置具有两个装载位置的自动装载系统

• 最多可配置6种靶材，靶材尺寸为300 mm x 300 mm，靶材具有优化的几何结构设计，可用于混合膜层以及膜层之间的平滑过渡

• 基板旋转最高可达60 rpm，以实现的工艺均匀性

• 可配置光学厚度监测器（OTM）

• 系统为低应力膜层进行了优化几何设计

系统性能

样品尺寸	ф300 mm
样品夹具	基板旋转速度高达60 rpm，配置有光学厚度监测器（OTM）
离子源	溅射离子源: 120 mm 圆形射频离子源 (RF120-e) 辅助离子源: 120 mm圆形射频离子源 (RF120-e)
中和器	射频驱动等离子体桥中和器(N-RF)
靶材转鼓	带有6个水冷靶材的靶转鼓（每个靶最大300 mm x 300 mm）
基础真空	< 5 x 10-8 mbar
系统尺寸 (W x D x H)	4.60 m x 1.80 m x 2.20 m, 用于带双基板的Loadlock（不带电控柜和真空泵）
配置	带双基板的Loadlock
软件界面	SECS II / GEM, OPC

应用

• 电介质反射镜

• 高反射层和抗反射层、带通滤波器和陷波滤波器的光学膜层

• 高激光损伤阈值膜层

• 折射率梯度层的沉积

• 基板的预处理（刻蚀、清洁、修型）

• 金属、种子和保护膜层

工艺指标

• 典型沉积速率

Si:6 nm/min，SiO2:9 nm/min、Ta2O5:6 nm/min

• 均匀性变化

300 mm范围内≤0.8%（σ/平均值））