scia Trim 300-思锐奇系统

scia Trim 300

系统采用聚焦离子束轰击样品表面，通过控制离子束焦斑在局部区域的驻留时间，来实现表面材料的定量去除，从而实现抛光或表面修整。

系统特点

- 可加工直径达300 mm基板

- 薄膜的厚度均匀性可以修正到原子水平，至0.1nm

- 可通过静电吸附夹具消除边缘效应

- 具有ZBE功能，可进行亚纳米级去除

- 对样品材料没有限制

- 产能与维护在设计时就进行了优化，以最大程度降低生产成本

- 可以加工带有光刻胶的晶圆，具有良好的样品冷却配置

* ZBE: Zero Base Etching

系统性能

样品尺寸	ф 300 mm dia
样品夹具	水冷、带氦气背面冷却触点，可配置无边缘效应的静电夹具
运动轴性能	最大速度0.25 m/s，最大加速度15 m/s²
离子源	37 mm 圆形射频离子源 (RF37-i) with 8 ...15 mm (FWHM) or 80 mm圆形射频离子源(RF80-i) with 12 ... 20 mm (FWHM)
中和器	热灯丝中和器 (N-Fil)
系统吞吐量	6 Wafer/h (50 nm Si on 300 mm wafer)
基础真空	< 1 x 10-6 mbar
系统尺寸 (W x D x H)	3.20 m x 2.90 m x 2.20 m, (不带电控柜和真空泵)
配置	带暗盒处理的单腔室或带两个处理腔室和暗盒处理功能的集群系统
软件界面	SECS II / GEM, OPC

应用

• 体声波（BAW）或声表面波（SAW）滤波器的频率修整

• 绝缘体上硅（SOI）的厚度修整，

• MEMS结构的尺寸校正

工艺指标

• 典型去除率

SiO2：6 x 10^-3 mm3/s（RF37-i），17 x 10^-3 mm/s（RF80-i）

• 修整后的膜面形变化

< 0.5  nm  RMS（与修整前参数有关）